18.07.2017

Modelithics simuliert erfolgreich Class-F-Verstärker

GaN-Amplifier

In einer gemeinsamen Veröffentlichung haben Modelithics, NI-AWR und ETL gezeigt, wie durch Einsatz eines exakten GaN-Modells und modernster CAD-Techniken der Entwurf und die Realisierung eines Class-F-Verstärkers gelingt.

Schlüssel für den Erfolg ist die Möglichkeit, direkt mit der dynamischen Lastkennlinie des DUTs (hier: Qorvo GaN-HEMT T2G6003028-FL, 30 Watt, aus der ⇒Modelithics Qorvo GaN-Library) die optimalen Arbeitspunkte und Terminierungen sowohl für die Grundwelle als auch für die Oberwellen festzulegen und entsprechende Anpass-Netzwerke zu bestimmen. Im Simulator AWR Microwave Office wird dazu von den virtuellen Load-Pull-Tunern, den Modelithics GaN-Modellen und dem AMPSA Amplifier Design Wizard gebraucht gemacht.

Durch geeignete Terminierung der Harmonischen wird es erreicht, dass der Transistor gerade soweit ausgesteuert wird, dass kein hartes Clipping auftritt. Das Vorgehen wird schließlich durch den Aufbau überprüft und die relevanten Schaltungswerte verifiziert.

Die vollständige Veröffentlichung “A Simulation-Based Design Flow for Broadband GaN Power Amplifier Design” kann über die Webseite von ⇒Modelithics heruntergeladen werden.

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